2023-08-17 09:45:32 来源 : 面包芯语
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转自|STM32
【资料图】
现在，大部分单片机内部Flash都可以进行读写编程操作，但有时候会因为各种原因导致操作失败，今天就结合STM32给大家分享一下常见的问题。
STM32的存储器通常包含内部SRAM、内部FLASH，部分系列还包含EEPROM。其中FLASH通常用于存储代码或数据，可被读写访问。
STM32的FLASH组织结构，可能因不同系列、型号略有不同。比如大家熟悉的STM32F1中小容量一页大小只有1K，而F1大容量一页有2K。
还比如有些系列以扇区为最小单元，有的扇区最小16K，有的128K不等。
本文主要结合F4系列来描述关于FLASH的相关内容。
1.Flash 结构
通常Flash包含几大块，这里以F40x为例：
主存储器：用来存放用户代码或数据。
系统存储器：用来存放出厂程序，一般是启动程序代码。
OTP 区域：一小段一次性可编程区域，供用户存放特定的数据。
选项字节：存放与芯片资源或属性相关的配置信息。
2.Flash常规操作
Flash 读、写（编程）、擦除：
Flash 读、写保护：通过配置选项字节实现。
3.Flash容量
STM32的Flash容量出厂已经决定，可根据型号得知容量大小。
4.存储器端格式
目前STM32存储器组织结构默认为小端格式：数据的低字节保存在内存的低地址。
更多内容请查阅芯片对应的参考手册。
STM32内部Flash具有读写保护功能，想要对Flash进行读写操作，首先要去除读写保护，读写保护通过配置选项字节完成。
配置选项字节，常见两种方式：1.软件编码；2.编程工具；
1.软件编码
比如STM32F4系列标准外设库库提供函数：
软件编码通过调用这些函数接口就可以配置选项字节。
2.编程工具
比如STM32CubeProg编程工具：
配置STM32选项字节，还可通过ST-LINK Utility、STVP等类似工具进行配置。
提示：不同型号的STM32选项字节可能略有差异。
STM32内部Flash和其他外部Flash类似，支持读、写、擦除等常规操作。对内部Flash操作之前通常需要解锁、去保护等操作。
比如：
1.读数据
读取内部Flash数据通常有两种方式：
2.写数据
往STM32内部Flash写数据和读数据类似，但写数据地址不能有数据，也就是写之前要擦除数据。
所以，相对读数据，通常写之前需要一些额外操作，比如：
通过工具写数据，就是我们量产时说的下载数据，正式一点说法叫编程。
3.擦除数据
擦除数据通常分擦除页、扇区、整块，擦除时间也因型号不同、速度不同有差异。
提示：该部分内容建议参考官方提供的Demo（标准外设库和HAL都有基本例程）
STM32内部Flash主要用途是存储程序代码和数据。操作内部Flash要慎重，一旦操作不当就有可能会破坏整个程序。
问题一：编程（写数据）地址非对齐
写数据时，我们要指定写入的地址，如果写入地址为非对齐，则会出现编程对齐错误。
比如：
遵循32位（4字节）地址对齐，你的地址只能是4的倍数。0x08001000正确，0x08001001错误。
提示：不同型号对齐宽度可能不同，有的32位、有的128位等。
解决办法：通过“取余”判断地址。
问题二：编程地址数据未擦除
写数据之前需要擦除对应地址数据才能正常写入，否则会出现失败。
我们擦除数据通常是页，或扇区，写入某个地址数据，就可能影响其他地址的数据，如果直接覆盖就会出现问题。
解决办法：通常的做法是读出整页（或扇区）数据并缓存，再擦除整页，再写入。
问题三：擦除时读取数据
STM32内部Flash在进行写或擦除操作时，总线处于阻塞状态，此时读取Flash数据就会出现失败。【双BANK模式除外】
解决办法：通过标志判断写/擦除操作是否完成。
问题四：电压不稳定写入失败
处于外界干扰较大的环境，供电就有暂降的可能，而对STM32内部Flash进行操作时，如果低于特定电压就会出现编程失败。
操作Flash的最低电压既与工作频率有关，也与STM32型号有关（具体需要看数据手册）。
解决办法：通过完善硬件电路保证电压稳定。电源电压不够或不稳导致隐患往往不易觉察！！
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